半導体情報 ついに！サムスンDRAM首位奪還へ！SK hynix四半期天下とMicron急成長、台湾Winbond棚から牡丹餅
サムスンが2025年第4四半期にDRAM市場首位奪還へ！SK hynixのHBMシェア低下、Micronは急成長。台湾W...
Micron
半導体情報 
半導体情報 DRAMの雄・Samsungがしたたかな戦略！AI時代に挑む1c DRAM増産計画｜HBM市場での戦略と展望・競合比較
Samsungが2026年に1c DRAMを月20万枚生産へ。AI時代に挑むしたたかな戦略とHBM市場での展望・競合比較...
半導体情報 Micronが車載向けUFS 4.1を先行投入｜第9世代3D NANDで切り拓く自動運転ADAS対応ストレージ最新動向
Micronが第9世代3D NANDを採用した車載向けUFS 4.1を先行投入。自動運転やADAS（先進運転支援システム...
半導体情報 IEDM2025で読み解く NANDフラッシュ最新動向｜サムスン・ハイニックス・Micronの技術革新と番外のキオクシア
IEDM2025セッション18では321層3D‑NANDやMoワードライン、BONトンネル層、FeNAND・NC‑NAN...
半導体情報 【衝撃】主要DRAMメーカー、2025年末までにDDR3およびDDR4の生産終了を計画 – 価格上昇リスクと台湾の動向
需要低迷による価格下落を受け、DRAM市場は変革期を迎えています。サムスン電子、SK hynix、マイクロンなどの主要企業は戦略を見直し、DDR5や高帯域幅メモリ（HBM）に注力し、DDR3およびDDR4の生産を2025年中に段階的に終了させる可能性があります。これらの企業は、今後は高度なメモリ技術が主流になると予測。