中国YMTC、武漢Fab3稼働で国産装置率80％超・232〜300層NAND量産加速

　中国YMTCが武漢Fab3で国産装置率80％超のNAND製造ラインを本格稼働。232層TLCから300層世代への量産を視野に、AMEC・Naura・SMEEなど国産装置を駆使し技術自立を加速。他社減産局面で増産を仕掛け価格競争を誘発し、SDVや車載市場進出にも布石。中国半導体戦略の転換点を現地視点で解説。

中国メモリ戦線に新旋風 ― YMTC武漢Fab 3が描くNAND覇権ロードマップ

　中国・長江存儲科技（YMTC）が、半導体業界の静寂を破る一手を打ちました。武漢にそびえる新拠点Fab 3は、米国制裁をくぐり抜ける“国産装置フル稼働”ライン。月産15万枚規模、国産比率80％超という数字は、ただの工場新設ではなく、中国半導体戦略の象徴そのものです。

国産装置で300層時代に突入
232層TLC（X4-9070）が抱える壁
歩留まり課題
価格競争の引き金に
SDV＆300層世代への布石

国産装置で300層時代に突入

　AMECやNauraの先端エッチャー、SMEEのKrF/ArF露光機、ACM Research Chinaの洗浄装置がずらりと並び、EUV不要の多重パターニングで232層〜300層対応を見据えています。これにより、従来の海外依存構造を打破し、国内完結のサプライチェーンを構築。

工程	国産メーカー	状況	注目ポイント
成膜・エッチング	中微半導体（AMEC）、北方華創（Naura）	高い国産化率	高アスペクト比エッチングでAMECの新型プラズマ装置を採用。300層対応を視野に入れた設計。
リソグラフィ	上海微電子（SMEE）	部分採用	KrF/ArF浸漬露光機を使用。EUVは未導入、マルチパターニングで対応。
洗浄・CMP	盛美半導体（ACM Research China）	高い国産化率	3D NAND特有の深孔洗浄に対応した装置を導入。
パッケージ・テスト	長川科技（Changchuan Tech）	ほぼ国産化	SSD向けパッケージ工程も国内で完結可能

232層TLC（X4-9070）が抱える壁

　現行の232層TLCでは、ハイブリッドボンディング精度や15µm級深ビア加工の側壁ダメージが歩留まりの足かせに。国産装置は急成長中ですが、長期稼働での安定性データはまだ発展途上。それでもAI駆動のプロセス最適化や高純度材料の国産供給強化で、改善速度は加速しています。

歩留まり課題

　現地筋によれば、2デッキ構造のハイブリッドボンディング工程では界面欠陥が歩留まりを直撃するため、接合面のプラズマ活性化やCMP平坦化精度の改善が急務となっている。さらに、300層近いビア形成では高アスペクト比エッチングによる側壁ダメージや残渣が課題となり、AMEC製の新型エッチャーで条件最適化が進む。

　加えて、QLC（X4-6080）への移行段階ではセル信頼性の低下が避けられず、ECC強化やコントローラFW最適化でエラー率抑制を狙う。さらに、国産装置は海外製に比べ長期稼働データが不足しており、パイロットラインでの長期モニタリングと部材改良でプロセス安定性の裏付けを急いでいる。
　こうした技術課題の一つひとつが、YMTCの歩留まり改善と中国半導体産業の自立加速に直結しており、300層世代での競争地図を塗り替える試金石となりそうだ。

価格競争の引き金に

　他社が減産モードの中、YMTCは増産アクセル全開。TLC/QLC両ラインを展開し、SSDからCXLストレージまで供給を広げ、価格下落圧力を市場全体に波及させています。SamsungやSK hynixなどの大手も、戦略修正を迫られる局面に。
　中国CXMTがDRAM　DDR3、DDR4の低価格拡大により、DRAM価格市場が暴落した最近のことを思い出さざるを得ない。NANDも同じようなことが起きるのか？！

QLC 1Tb Price trend — NAND Flash Memory QLC 1TbのSpot価格：第２四半期からフラッシュメモリの価格が下げに転じた。

　AI需要の追い風を受け、eSSDを中心に価格は2025年第1四半期から上昇に転じたものの、第2四半期には上げ止まり、その後は緩やかな下降局面に入った。今後、YMTCの増産が価格をさらに下押しする可能性があり、市場動向の注視が求められる。こうした供給環境の変化は、NAND主要5社（Samsung、SK Hynix、Micron、Kioxia、SanDisk）の開発戦略にも影響を及ぼすことは避けられないだろう。