キオクシア株式会社は、オンデバイスAI機能を持つハイエンド・スマートフォンなど次世代モバイル機器向けに、UFS 4.1に対応した組み込み式フラッシュメモリ (UFS 4.1製品) のサンプル出荷開始を発表した。新製品は、当社前世代品(※)と比べてライト／リード性能や電力効率を向上させ、低消費電力ながらデータのダウンロードの高速化、アプリのスムーズな動作などを可能にするとのこと。
新しいUFS 4.1製品は、キオクシアの3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™とコントローラーをJEDEC規格の小型BGAパッケージに収まる。新製品はCMOS directly Bonded to Array（CBA）技術を活用した第8世代 BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを採用。CBA技術では、別々のウエハーで製造したCMOS回路とメモリセルアレイを貼り合わせることにより、フラッシュメモリの電力効率、性能、ビット密度の大幅な向上を実現するとのこと。
Source/画像: KIOXIA home page
主な仕様：
- 256 ギガバイト（GB）、512 GB、1 テラバイト（TB）の容量タイプをラインアップ
- 当社前世代品に比べて(※)ライト/リード速度は、ランダムライトが約30% (512 GB および 1 TB)、ランダムリードが約45% (512 GB)、約35% (1 TB)それぞれ向上
- 当社前世代品に比べて(※)電力効率は、リードが約15% (512 GBおよび1 TB)、ライトが約20% (512 GBおよび1 TB)向上
- ホスト主導のデフラグメンテーション機能により、ガベージコレクションの実行タイミングを制御し、重要な場面での高速性能が維持可能
- WriteBooster バッファのリサイズ機能により、パフォーマンスを最適化する柔軟性を向上
- UFS 4.1規格に準拠
(※)：KIOXIA前世代UFS 4.0対応組み込み式フラッシュメモリの製品512 GB (製品型番: THGJFMT2E46BATV) / 1 TB (製品型番: THGJFMT3E86BATZ) との比較。512 GB / 1 TBモデルのみ。
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