FeNAND

半導体情報

サムスンが世界初のFeNAND技術でNANDフラッシュ消費電力96%削減を実現、AI時代の次世代3D-NANDを先導

サムスンが世界初FeNAND技術を実現し、従来比最大96%の消費電力削減を達成。酸化物半導体と強誘電体を組み合わせた新構...
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IEDM2025で読み解く NANDフラッシュ最新動向|サムスン・ハイニックス・Micronの技術革新と番外のキオクシア

IEDM2025セッション18では321層3D‑NANDやMoワードライン、BONトンネル層、FeNAND・NC‑NAN...