【2026年版特集】中国SMICのロジック7nm技術とHuawei国産EUV開発を網羅解説する最新動向レポート

　制裁下でも微細化を進める中国SMICの7nmプロセスと、Huaweiが開発する国産EUV装置LDP方式の最新動向を整理し、技術ノードの現在地と今後の展望を2026年時点の信頼できる情報に基づいて解説します。中国がEUVなしで進める微細化の限界や、LDP方式実用化時の産業構造への影響、技術ノード評価への示唆も解説します。

制裁下で進化を続ける中国半導体
SMIC 技術ノードの現在地と Huawei の国産 EUV（LDP方式）計画

　米国の輸出規制により、最先端半導体の製造に不可欠な EUV（極端紫外線露光装置）を入手できない中国。しかしその制約下でも、中国最大のファウンドリである SMIC は独自の工夫で微細化を進め、Huawei は国産 EUV の開発に踏み出している。

　この記事では、最新の解析レポートと信頼できる技術メディアの情報をもとに、SMIC の技術ノードの進化と Huawei の EUV 開発（LDP方式）を整理する。

SMIC はどこまで微細化できているのか
SMIC の FinFET 技術ノード
SMIC 技術ノードの比較
SMIC が抱える課題
Huawei が国産 EUV を開発中という報道（LDP方式）
1. LDP vs LPP の比較
  1. LPP（ASML）
  2. LDP（Huawei）
今後の展望

SMIC はどこまで微細化できているのか

　SMIC は EUV を使えないため、DUV（深紫外線）多重露光を極限まで活用している。それでも 7nm 世代（N+2 / N+3）を量産レベルで実現している。

　TechInsights の解析によれば、Huawei Kirin 9030 は SMIC の N+3（7nm 改良版）プロセスで製造されている。

Source: TechInsights – SMIC N+3 Confirmed: Kirin 9030 Analysis Reveals How Close SMIC Is to 5nm

SMIC の FinFET 技術ノード

14nm FinFET（2019〜）

　SMIC 初の FinFET ノード。TSMC 16nm 世代に相当し、中国国内向け ASIC で広く採用された。

N+1（第1世代 7nm系）

　この世代は謎に包まれている。

N+2（第2世代 7nm）

　TechInsights は N+3 を「N+2 の拡張版」と説明しており、N+2 が SMIC の本命 7nm に相当することが示唆される。

N+3（改良型 7nm）

　Huawei Kirin 9030 が N+3 プロセスで製造されている。N+2 より密度・電力効率が改善されているが、TSMC 5nm には到達していない。

Source: Tom’s Hardware – SMIC N+3 は 5nm には届かない

SMIC 技術ノードの比較

ノード	世代	特徴	採用例
14nm	1st FinFET	中国初の FinFET	産業用 ASIC
N+1	—	※謎の世代	—
N+2	7nm級	第2世代	—
N+3	改良型 7nm	Kirin 9030 に採用	Huawei Mate 80 シリーズ

SMIC が抱える課題

　TechNews など複数の解析記事が指摘するように、SMIC の微細化には限界もある。

EUV が使えないため工程が複雑化
DUV 多重露光は歩留まりリスクが高い
N+3 は 7nm+ 相当であり、TSMC 5nm には届かない

Source: TechNews – 拆解 Mate 80 系列確認：華為麒麟 9030 採中芯 N+3 製程

Huawei が国産 EUV を開発中という報道（LDP方式）

　2025〜2026年にかけて、複数の信頼できる技術メディアが「Huawei が独自の EUV リソグラフィ装置を開発している」と報じている。ASML の LPP（Laser Produced Plasma）方式とは異なり、Huawei は LDP（Laser-induced Discharge Plasma）方式を採用している点が特徴だ。