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半導体情報

台積電2nm量産開始|TSMC N2がナノシートGAAで密度と電力効率を強化しSamsung・Intelを上回るか?!

TSMC (台積電) が2nmプロセスN2の量産を開始。ナノシートGAA採用で密度と電力効率を大幅に強化し、Samsun...
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サムスンが世界初のFeNAND技術でNANDフラッシュ消費電力96%削減を実現、AI時代の次世代3D-NANDを先導

サムスンが世界初FeNAND技術を実現し、従来比最大96%の消費電力削減を達成。酸化物半導体と強誘電体を組み合わせた新構...
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DRAMの雄・Samsungがしたたかな戦略!AI時代に挑む1c DRAM増産計画|HBM市場での戦略と展望・競合比較

Samsungが2026年に1c DRAMを月20万枚生産へ。AI時代に挑むしたたかな戦略とHBM市場での展望・競合比較...
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【2025年最新】NANDフラッシュメモリ市場動向|ハイニックスAI特化SSD戦略とサムスン第8世代V-NANDのNVIDIA採用

2025年のNAND市場はAI特化SSDと低価格SSDの二極化が進行。ハイニックスは300層超NANDでAINファミリー...
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サムスン、1c DRAM採用HBM4で次世代AI市場へ挑戦|EUV投資と歩留まり改善で競争力強化、メモリ価格上昇も追い風

サムスンは1c DRAMを採用したHBM4の量産準備を進め、High-NA EUV導入で微細化とコスト競争力を強化。HB...
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【GDDR7 vs HBM】SamsungがNVIDIA B40向けに量産加速!AI推論・NPU用途で進化する次世代メモリ戦略

Samsungが次世代DRAM「GDDR7」の量産を加速。NVIDIAの中国向けAIアクセラレータ「B40」に採用され、HBMとの違いやNPUとの関係が注目される。性能・コスト・移行性・運用安定性の4軸で導入メリットを評価。AI推論・ゲーム・GPU設計に革新をもたらす重要技術として、日本企業も戦略的対応が求められる。
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【衝撃】主要DRAMメーカー、2025年末までにDDR3およびDDR4の生産終了を計画 – 価格上昇リスクと台湾の動向

需要低迷による価格下落を受け、DRAM市場は変革期を迎えています。サムスン電子、SK hynix、マイクロンなどの主要企業は戦略を見直し、DDR5や高帯域幅メモリ(HBM)に注力し、DDR3およびDDR4の生産を2025年中に段階的に終了させる可能性があります。これらの企業は、今後は高度なメモリ技術が主流になると予測。