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ついに!サムスンDRAM首位奪還へ!SK hynix四半期天下とMicron急成長、台湾Winbond棚から牡丹餅

サムスンが2025年第4四半期にDRAM市場首位奪還へ!SK hynixのHBMシェア低下、Micronは急成長。台湾W...
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IEDM2025で読み解く NANDフラッシュ最新動向|サムスン・ハイニックス・Micronの技術革新と番外のキオクシア

IEDM2025セッション18では321層3D‑NANDやMoワードライン、BONトンネル層、FeNAND・NC‑NAN...
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サムスン次世代HBM4・GDDR7・DDR5量産計画とDRAM価格月次化戦略で業界王者へ、AI時代を支配する半導体覇者

サムスンは2026年にHBM4・GDDR7・DDR5の次世代メモリ量産を計画し、AIやHPC向けに性能と大容量を提供する...
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サムスン第7世代176層・第8世代236層・第9世代321層V-NAND進化とSSD市場回復、1000層時代へのロードマップ

サムスンV-NANDは第7世代176層から第8世代236層、第9世代321層へ進化し、SSD性能と効率を高めています。市...
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【衝撃】主要DRAMメーカー、2025年末までにDDR3およびDDR4の生産終了を計画 – 価格上昇リスクと台湾の動向

需要低迷による価格下落を受け、DRAM市場は変革期を迎えています。サムスン電子、SK hynix、マイクロンなどの主要企業は戦略を見直し、DDR5や高帯域幅メモリ(HBM)に注力し、DDR3およびDDR4の生産を2025年中に段階的に終了させる可能性があります。これらの企業は、今後は高度なメモリ技術が主流になると予測。
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2025年第1四半期、NAND型フラッシュメモリ大手5社の収益が前期比20%以上減少

TrendForceの最新調査によると、2025年Q1にNAND型フラッシュメモリ主要5社の収益が前期比24%減少。サムスン他の業績詳細と、在庫調整や価格底打ちによるQ2の回復予測をわかりやすく解説。AIバブル後の需要変化や技術開発の遅れが各社のシェアに影響。NAND市場の最新動向を把握する保存版レポートです。