半導体メモリ 2026年エンタープライズSSD市場ランキング｜Samsung・SK hynix・Micronが寡占、キオクシアは4位
大手クラウド事業者（CSP）によるAIサーバー投資が続くなか、エンタープライズ向けSSDの需要が拡大しています。2026年第2四半期（2Q26）は、出荷数量の増加と契約価格の上昇が重なり、上位5社の合計売上高が前四半期比103.6％増と大幅...
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半導体メモリ 
先進パッケージング・半導体材料 SK hynixが次世代HBMでIntel EMIBを採用へ｜TSMC CoWoS一強に変化の兆し
SK hynixが、次世代HBMの先進パッケージングでIntelの「EMIB」を選択肢に加える動きを見せています。これまでAI半導体の先進パッケージングではTSMCのCoWoSが大きな存在感を持ってきただけに、今回の動きは業界の勢力図を変え...
半導体メモリ 2026年DRAM市場勢力図が激変｜Samsung首位奪還、Micron急伸、CXMTが716%増
2026年のDRAM市場で、勢力図が大きく動いています。Samsungがシェア39%で首位を奪還する一方、Micronは25%まで急伸し、SK hynixとの差をわずか1ポイントに縮めました。さらに中国CXMTは前年比716%増と驚異的な成...
半導体メモリ HBFとは？次世代メモリ始動｜HBMの次はHBF？SK hynix・SandiskがAI推論向け新メモリを標準化
HBF（High Bandwidth Flash）は、HBMとSSDの中間を担うAI推論向けの次世代メモリ階層として注目される新技術です。2026年8月4日、SK hynixとSandiskはOpen Compute Project（OCP...
半導体メモリ Samsungが400層超V10 BV-NANDを発表｜FMS 2026で激化する3D NAND技術競争を徹底比較
SamsungはFMS 2026で、400層超の第10世代3D NAND「V10 BV-NAND」を発表し、AI向けストレージ市場で次世代技術をアピールしました。一方、Kioxia・SanDiskは332層BiCS10、SK hynixは3...
半導体メモリ 韓国が800兆ウォン（約83兆円）投資、Samsung・SK hynixがDRAM生産能力倍増へ 台湾メモリ業界に警戒感
韓国政府とSamsung・SK hynixが、メモリ分野で過去最大規模となる800兆ウォン（約83兆円）の投資計画を発表した。両社は今後5年でDRAM生産能力を倍増させ、AI向けメモリ需要の拡大を見据えた供給体制の強化を進める。一方、メモリ...
半導体メモリ NVIDIA・キオクシア vs SanDisk・SK hynix｜AI時代の「HBM後」を巡る次世代メモリ戦争
AI半導体市場の主戦場が「学習」から「推論」へシフトする中、高コストなHBM（高帯域幅メモリ）に代わる「ポストHBM」の主導権争いが激化しています。本記事では、NVIDIAの次世代アーキテクチャに深く食い込む【NVIDIA・キオクシア陣営（...
台湾ニュース NVIDIAがSK hynixからのHBM調達を大幅拡大へ｜2030年まで続くメモリ不足と台湾メーカーへの影響
本日、台湾の半導体業界で特に注目を集めたのが、NVIDIA（輝達）が「記憶体不足の終わりは見えない」と明言し、SK hynixからのHBM調達をさらに拡大すると発表したニュースだ。AI需要の急拡大でメモリ供給が逼迫する中、SK hynixは...
半導体メモリ iHBMが挑む「熱の壁」——AIメモリの根本問題をパッケージ内部から解く
.ihbm-article { font-family: -apple-system, BlinkMacSystemFont, "Noto Sans JP", "Hiragino Kaku Gothic ProN", sans-serif;...
半導体メモリ NANDフラッシュ市場シェア2026Q1｜Samsungが104.7%増で独走、キオクシアはシェア低下で国内評価と乖離
2026年第1四半期（Q1）のNANDフラッシュ市場は、AIサーバー向けeSSD需要の拡大を背景に急成長しました。Samsungは売上高が前期比104.7％増となり首位を維持するとともに、競合各社との差をさらに広げています。一方で、SK h...