先進パッケージング・半導体材料 SK hynixが次世代HBMでIntel EMIBを採用へ｜TSMC CoWoS一強に変化の兆し
SK hynixが、次世代HBMの先進パッケージングでIntelの「EMIB」を選択肢に加える動きを見せています。これまでAI半導体の先進パッケージングではTSMCのCoWoSが大きな存在感を持ってきただけに、今回の動きは業界の勢力図を変え...
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半導体情報 サムスン2D NAND撤退と1C DRAM転換・HBM4拡大｜残存Macronix/GigaDeviceが漁夫の利か？NOR型フラッシュと同じ構図か！
サムスンが最後の2D NANDラインを停止し1C DRAMへ転換、HBM4拡大を加速。SK hynixも投資を強化し競争激化。残存するMacronixやGigaDeviceは漁夫の利を得る構図で、NOR型フラッシュ市場に似た再編が進行中。A...
半導体情報 【2026年2月版】NVIDIA「Vera Rubin」向けHBM4供給が確定へ：Samsungが急伸、Micronは一歩後退でどうする？！
NVIDIA の次世代 AI システム「Vera Rubin」向け HBM4 供給が本格確定。Samsungが世界初の HBM4 量産と高性能で急伸する一方、SK hynix は安定供給力で最大シェアを維持し、HBM 市場の主導権を固めつつ...
半導体情報 サムスン次世代HBM4・GDDR7・DDR5量産計画とDRAM価格月次化戦略で業界王者へ、AI時代を支配する半導体覇者
サムスンは2026年にHBM4・GDDR7・DDR5の次世代メモリ量産を計画し、AIやHPC向けに性能と大容量を提供する。同時にDRAM価格提示を月次化し、市場変動に即応する戦略を展開です。HBM4でAIを支え、GDDR7でGPU推論を強化...
半導体情報 サムスン、1c DRAM採用HBM4で次世代AI市場へ挑戦｜EUV投資と歩留まり改善で競争力強化、メモリ価格上昇も追い風
サムスンは1c DRAMを採用したHBM4の量産準備を進め、High-NA EUV導入で微細化とコスト競争力を強化。HBM歩留まりは積層やTSV工程に課題を抱えるが、DRAM品質向上が間接的に改善を後押しする。さらにSK hynixと共に最...