3D NAND

3D NANDがモリブデン時代へ!SKハイニックス375層で本格採用、中国WF6規制が加速 半導体メモリ

3D NANDは「モリブデン時代」へ:SKハイニックス375層の衝撃と、中国WF6規制による加速

AI向けストレージ需要の拡大で高積層化が進む3D NANDに、大きな転換点が訪れている。SKハイニックスは375層3D ...
WF6 price surge 204% - supply chain crisis 半導体関連記事

WF6価格が前月比204%急騰──タングステン原料断絶で日本2社が供給停止、TSMCも巻き込む半導体サプライチェーンの構造崩壊

中国のタングステン輸出規制が引き金となった先端半導体用特殊ガス「WF6(六フッ化タングステン)」の供給危機が、いよいよ深...
中国タングステン規制で半導体危機 半導体関連記事

中国タングステン規制で半導体業界に衝撃|WF6供給不安と3D NAND・HBM・TSMCへの影響

中国によるタングステン輸出規制の強化が、半導体業界に新たな波紋を広げている。特にWF6(六フッ化タングステン)は3D N...
huawei 122.88 tb ssd 半導体メモリ

米国の輸出規制でNAND調達を断たれたファーウェイが、独自DoBパッケージング技術で122TB SSDの量産化に成功

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Samsung and Sk Hynix accel DRAM and NAND in China. 半導体関連記事

Samsung・SK hynix、中国工場のNAND/DRAM投資を急拡大——AI需要急増が招くメモリ不足と地政学リスク

AI需要の急拡大でNAND・DRAMが供給不足に直面するなか、Samsung・SK hynixは中国工場への投資を前年比...
IEDM2025 半導体情報

IEDM2025で読み解く NANDフラッシュ最新動向|サムスン・ハイニックス・Micronの技術革新と番外のキオクシア

IEDM2025セッション18では321層3D‑NANDやMoワードライン、BONトンネル層、FeNAND・NC‑NAN...
Switch card 半導体情報

Switch 2ゲームカードに新展開!Macronixが容量拡張を示唆、MLC&3D NANDで次世代に対応!

Switch 2のゲームカードに容量拡張の可能性が浮上!台湾MacronixがMLC NAND&3D NANDの導入を発表し、64GBを超える新サイズに期待が高まる。複数の人気ゲームがフル収録で発売されている現状や、任天堂のユーザー調査も交えて、最新情報と今後の展望をわかりやすくまとめました。NANDについても詳解!!
PUF picture 半導体情報

3D NANDフラッシュメモリを用いたPUF (Physical Unclonable Functions;物理的に複製不可能な関数)を開発~韓国

市販されている3D NANDフラッシュメモリを利用した新たなハードウェアセキュリティ技術が開発された。この手法は物理的に複製不可能な関数(PUF)を応用しており、使用しないときはユーザーデータの下にセキュリティキーを隠し、必要なときだけ取り出すことができる。キー保存に使われるメモリ領域は一般的なデータ保存にも利用可能。