AIブームによるHBM需要の急拡大で、Samsung、Micron、SK hynixの大手メモリメーカーは生産能力を先端AI向けへ集中させている。その結果、DRAMやNANDフラッシュ市場では供給不足と価格上昇が進み、中国メモリメーカーのCXMT（長鑫存儲）とYMTC（長江存儲）が急速に存在感を高めている。
CXMTはDDR5やLPDDR5Xで世界市場への浸透を進め、YMTCはNANDフラッシュで世界シェア拡大と工場増設を加速。さらにHPやDellなど欧米PCメーカーも中国製メモリの採用を検討し始めている。
本記事では、中国半導体国策の中核を担うCXMTとYMTCの最新動向を整理し、中国メモリがDRAM・NAND市場の勢力図をどこまで塗り替える可能性があるのかを詳しく解説する。
AIバブルが生んだ「メモリの空白地帯」
2024年後半から2025年にかけて、大手メモリメーカーは軒並み生産ラインをHBM（高帯域幅メモリ）へと振り向けた。データセンター向けAI需要が爆発的に拡大し、Samsung、Micron、SK hynixのいずれもが利益率の高いHBMとサーバー向けDRAMの増産を最優先としたためだ。
その結果、コンシューマー向けDDR5市場では深刻な供給不足が発生した。DDR5の価格は2025年Q1に前四半期比で最大95%跳ね上がるとも報じられており、PC用メモリは入手困難・高騰という二重苦に見舞われている。
こうした「メモリの空白地帯」を埋めに動いたのが、中国の国産メモリ2社、CXMT（ChangXin Memory Technologies、長鑫存儲技術）とYMTC（Yangtze Memory Technologies Corp.、長江存儲科技）だ。両社は政府の補助金と国家方針の後ろ盾を受け、AI向けHBMではなくコンシューマー向け製品の供給を優先してきた。
Silicon MotionのSVPであるNelson Duann氏はTom’s Hardwareのインタビューで、「外資系サプライヤーは最大収益の機会を追い求め、データセンターへの供給を優先できる。中国サプライヤーは同じことができない。政府が指導を行い、特定の国内産業を支援するよう促すからだ」と語った。
CXMTの台頭：DUVだけで世界市場に挑む
CXMTは設立からわずか10年ほどの新興メーカーだが、2024年末にはDDR5モジュールのコンシューマー向け生産を本格化した。注目すべきは、米国の輸出規制でEUV（極端紫外線）露光装置を入手できないなか、DUV（深紫外線）技術のみで開発した16nm（G4）プロセスノードで、DDR5およびLPDDR5Xチップを量産している点だ。最新のロードマップではDDR5-8000 MT/sおよびLPDDR5X-10667という性能目標も示されている。
2026年5月、CXMTのDRAMが初めて西側の主要ブランド製品に搭載されたことが確認された。Corsairの「Vengeance DDR5」の中国向けモデル（DDR5-6000 CL36）に、CXMT製DRAMダイが使われていることをCPU-Zのスクリーンショットが示した。通常、CorsairはMicron、Samsung、SK hynixからのみ調達してきたメーカーだけに、この転換は業界に大きな衝撃を与えた。
さらに中国ブランドのGlowayとKingBankは、CXMTの24Gb（3GB）ダイを搭載した新型DDR5モジュールを発表。8ダイ構成で24GB単体モジュール、デュアルまたはクアッドDIMMキットとして48GBや96GBの大容量を実現している。KingBankの同チップがDDR5-8000 MT/sで動作することも確認されており、オーバークロック耐性への期待も高まる。
欧米PC大手がCXMTを採用へ
供給危機は中国ブランドにとどまらず、欧米のPC大手を動かしはじめた。
2026年2月、日経アジアの報道によれば、HP、Dell、Acer、Asusの4社が中国製メモリチップの採用を検討していることが明らかになった。具体的には、HPとDellがCXMTのDRAMの資格審査（クオリファイ）を開始しており、AcerとAsusは中国のサプライヤーパートナーに対して国産メモリの調達を打診している。HPは少なくとも当初は米国市場向け以外の製品にのみCXMTを搭載する方針とされている。
CXMTは米国防総省が「中国軍と関係が疑われる企業リスト」に懸念しているほか、元Samsung社員が10nmのDRAM技術を持ち出してCXMTに供与したとして逮捕された件も報じられている。セキュリティ上の懸念は払拭されていないが、HPらの動きは「入手できないよりもリスクを取る」という判断を示している。
YMTCの工場拡張：国産装置が過半数を超えた
NANDフラッシュ分野では、YMTCが着実に存在感を拡大している。
2022年に米商務省のエンティティリストに追加されたYMTCは、以降、ASMLをはじめとする西側製造装置へのアクセスを絶たれた。それでも2025年のグローバルNAND市場シェアは11.8%（UBSレポート）に達し、SanDiskと並ぶ水準まで成長した。現在のXtacking 4.0アーキテクチャは約270層構造で、SK hynixの321層、Samsungの286層（9th gen V-NAND）には及ばないものの、急速にキャッチアップしている。
2026年4月のロイターの報道によれば、YMTCは武漢市内で建設中のPhase 3ファブに加え、さらに2棟の新工場を計画していることが判明した。3棟とも最大能力は月産ウェーハ10万枚で、フル稼働すれば現在の倍以上の生産能力を持つことになる。
最も注目されるのは、Phase 3の装置のうち50%以上が中国国産であるという点だ。3D NANDの垂直積層に必要なツールを含む多くをAMEC（中微公司）などの国内ベンダーから調達しており、YMTCは中国ファブの中で最も高い国産装置比率を達成している。これは中国が「エンティティリストを逆手にとった産業自立」を着々と実現していることを示す。
さらにYMTCはPhase 3の製造能力の約50%をNANDではなくDRAMに振り向ける方針で、HBM向けのTSV（シリコン貫通電極）パッケージング技術の開発にも取り組んでいる。
Yole Groupは2028年にYMTCのNAND市場シェアが15%に達すると予測している（自社目標の2026年より2年遅れ）。
※2026年Q1では、市場シェア10％で、キオクシア・SanDisk・Micronの13.9%を追尾。
DUVで世界に挑む：規制の網をかいくぐる技術力
米国の対中輸出規制は、EUVのみならずDUVへの強化も議論されているが、CXMTとYMTCはすでにDUVのみで相当水準の製品を量産できることを証明しつつある。欧州はCXMTに対して制裁措置を導入しようとしたが、自動車産業界から「供給が数週間でストップする」との警告を受け、適用を一時免除する事態にまで追い込まれた。これは、中国製半導体がサプライチェーンに深く組み込まれていることを如実に示す出来事だ。
中国政府は過去10年間、米国の約3.6倍の補助金を半導体産業に投入してきた。HBMやEUVクラスの先端プロセスでは依然として西側に大きな差をつけられているが、コンシューマー向けDRAMやNANDというコモディティ領域では、すでに世界市場に影響を及ぼせるだけの実力を持ちはじめている。
Samsung、Micron、SK hynixがAIデータセンター向けに生産を集中させるかぎり、そこに生じる空白をCXMTとYMTCが埋め続けるという構図は今後も続く見通しだ。中国メモリの台頭は「供給危機の副産物」ではなく、国家戦略として計画・実行されてきた結果である。
参考記事
- Chinese memory brands ditch Samsung and Micron for homegrown CXMT and YMTC silicon（Tom’s Hardware、2026年6月17日）
- Chinese memory maker CXMT enters the mainstream consumer memory with Corsair Vengeance DDR5 kit（Tom’s Hardware、2026年5月22日）
- Leading PC manufacturers considering using Chinese memory chips（Tom’s Hardware、2026年2月5日）
- China’s premiere memory-maker YMTC plans two additional Wuhan fabs（Tom’s Hardware、2026年4月14日）
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